清華大學無錫應用技術研究院集成電路創新服務平臺
詳細內容：
儀器功能：用于測試半導體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)
技術參數
測量范圍 電阻率：10-4～105 ΩNaN(可擴展)
電導率：10-5～104 s/cm；
電阻：10-4～105 Ω；
可測晶片直徑 140mmX150mm;200mmX200mm;400mmX500mm;
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
四探針探頭基本指標 間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機械游移率：≤0.3%；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應用參數 (見探頭附帶的合格證)
整機測量最大相對誤差 (用硅標樣片：0.01-180ΩNaN測試)≤±5%
整機測量標準不確定度 ≤5%
相對濕度：≤65%；
無高頻干擾；無強光直射；
X射線衍射分析儀
電感耦合等離子體質譜儀
流變儀
