清華大學無錫應用技術研究院集成電路創新服務平臺
TFS200-106 ALD原子層沉積
技術參數：
原子層淀積，功率4kW，載氣：N2；生長精度：0.1nm，反應溫度：25~500C，樣品尺寸：20-200mm，生長方式：熱沉積/等離子體生長；熱源2個，溫度25~300C；冷源3個
主要功能及應用范圍：
制備氧化物，如氧化鉿、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭等，制備氮化物，如氮化鈦、氮化鉭等
微納電子學、納米材料及相關器件等領域，可作為集成電路中MIM電容器涂層，防反射包覆層，多層結構光學電介質，有機發光顯示器反濕涂層以及應用在太陽能電池和MEMS微機電系統等領域。
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